株式会社東レリサーチセンターは、このたび、東京ビッグサイトで12月17日（水）～19日（金）に開催される「SEMICON Japan 2025」（主催：SEMI）に、東レ株式会社及びグループ会社の東レエンジニアリング株式会社、東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社、東レ・プレシジョン株式会社と共同出展します。

最先端半導体デバイス・電子材料に関する最新の分析技術事例を中心にご紹介致します。

是非、東レブースにお立ち寄りください。

■ SEMICON Japan 2025

・開催日時：2025年12月17日（水）～19日（金）
・会場：東京ビッグサイト
・ブース番号： 東展示棟　小間番号E4908番（APCSエリア）

■ 出展内容

展示ポスターの一部をご紹介します。
展示内容は変更になる可能性があります。

【1: 新規導入装置、独自の分析技術】
　・ICON-IRによる接着界面分析-2025年4月導入-
　・ESR法によるSiN膜中の欠陥量の深さ方向分析
　・マイクロRBSによる3次元構造体に形成した薄膜の高確度組成評価
　・HAXPESによるGaNの元素組成・化学状態分析
　・STEM, CL, DLTSによるGaN-HEMTの欠陥解析

【2: 材料評価・分析】
　・同位体ガスを用いたデバイス材料のガス浸透性評価
　・半導体材料のラマン分析における最適な装置選択
　・Low-k材料；SiOC薄膜の膜質評価

【3: プロセス評価・最適化】
　・ALD-SiN膜の初期構造解析　-FT-IR法-
　・カソードルミネッセンス(CL)法によるシリコンパワーデバイスの点欠陥・転位評価
　・トレンチ構造の側壁部の粗さ・汚染評価
　・ハイブリッド接合プロセスの最適化-ウエハ接合試料の界面分析-
　・半導体封止用樹脂の熱硬化挙動解析

【4: デバイス評価・開発支援】
　・実装材料の熱特性評価事例
　・先端通信デバイス開発を支援するルミネッセンス分析
　・マルチイオン種プラズマFIBによる半導体デバイスの電位コントラスト観察
　・ヘリウム冷却STEM-CL法によるVCSELの発光特性評価　　

【5: マッピング・可視化】
　・SIMSを用いた溶液成長SiC結晶中Nイメージ評価
　・fsLA-ICP-MSによるSiC基板中の 微量元素の三次元イメージング
　・薄膜の応力測定 - 50～300 mmΦ，温度依存性対応 -
　・μ-DICを用いた冷却昇温過程の熱ひずみ分布解析 -PCB, SIC-MOSFETへの適用-
　・実装部品内部の高分子材料のO-PTIRを用いた微小部組成分析

【6: 分析技術・前処理】
　・EUVリソグラフィー用化学増幅型レジスト中のポリマーバウンド光酸発生剤の構造解析
　・耐熱性樹脂の高温加熱時アウトガス分析
　・spICP-MSによるレジスト中の金属微粒子分析
　・Siウェハ表面のイオン性不純物分析

【7: 分析＋シミュレーション】
　・樹脂の熱硬化過程へのフィラーの影響 -熱分析とMDシミュレーション-

【8: グローバル市場向けサービス】
　・グローバル市場をサポートする東レリサーチセンターの半導体・電子材料向け高度分析サービス
　・欧州現地での東レリサーチセンターの半導体・電子材料向け高度化学分析サービス
　・中国現地での東レリサーチセンターの半導体・電子材料向け高精度組成分析サービス

【9: 関係会社、提携会社機能】
　・身近な梱包材からも硫黄化合物が発生！！【東レテクノ(株)】
　・超純水の管理 ―水質モニタリングと異常対応―【東レテクノ(株)】
　・電子デバイス切り出しによる物性値測定【NTTデバイスクロステクノロジ(株)】
　・パワーデバイス向けトータルソリューション～試作、パワーサイクル、分析、シミュレーション～