2026年8月6日

Patentix株式会社（滋賀県草津市、代表取締役：衣斐 豊祐、以下「Patentix」）は、2026年5月に発足した産学官連携オープンイノベーション拠点「びわこ半導体構想」の最初の取り組みとして、『びわこ半導体構想 技報』創刊号を発行いたしました。
本技報では、Patentixが取り組む次世代パワー半導体材料「ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）」について、開発の背景や最新の技術成果、今後の社会実装に向けた取り組みを紹介しています。

『びわこ半導体構想 技報』創刊号の内容

・開発の背景： 脱炭素化やエネルギー危機の中で求められる新材料パワー半導体の役割と、r-GeO2が　　　　　　持つ物理的優位性（高耐圧・低ON抵抗・pn両伝導性）を解説

・最新の研究成果： 世界初となる「6インチSi基板上へのr-GeO2単結晶膜成膜（GeO2 on Si）」の成功、p型伝導性の実証に向けた検証、高耐圧SBDやMOSFETの動作実証成果。

・社会実装へのロードマップ： 量産化を見据えた「ヘテロエピ基板（GeO2 on Si）」「転写基板」「バルク基板（ミニマルファブ対応）」の3大開発ターゲットによる展開戦略

・オープンイノベーションの推進： 参画機関・支援機関との連携によるサプライチェーン構築と、「びわこ半導体構想」を通じたオープンイノベーション戦略

※本技報の発行は、小規模事業者持続化補助金を活用して実施しております。

Patentixは今後も「びわこ半導体構想」を通じて参画企業・機関との連携を深め、次世代パワー半導体の早期実用化と社会課題の解決に貢献してまいります。




【本プレスリリースおよび技報に関するお問い合わせ先】
びわこ半導体構想事務局
所在地：〒525-8577 滋賀県草津市野路東1丁目1番1号
立命館大学BKCインキュベータ Patentix株式会社内
E-mail：semi.biwako@patentix.co.jp
Webサイト：https://www.biwakosemiconductor.org